Electronic component search and free download site. Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits
English
한국어
日本語
русский
简体中文
español
Part Name
Description
2SJ537 View Datasheet(PDF) - Toshiba
Part Name
Description
Manufacturer
2SJ537
Silicon P Channel MOS Type (L2−π−MOSVI) Effect Transistor
Toshiba
2SJ537 Datasheet PDF : 6 Pages
1
2
3
4
5
6
I
D
– V
DS
−
5
Common
−
10
−
5
−
4
source
Ta
=
25°C
−
4
Pulse Test
−
3
−
8
−
3.5
−
6
−
2
−
3
−
1
VGS
= −
2.5V
0
0
−
0.4
−
0.8
−
1.2
−
1.6
−
2.0
Drain-source voltage VDS (V)
2SJ537
−
10
−
10
−
8
−
8
−
6
−
6
I
D
– V
DS
−
5
Common source
Ta
=
25°C
Pulse Test
−4
−
4
−
3.5
−
2
−
3
VGS
= −
2.5 V
0
0
−
2
−
4
−
6
−
8
−
10
Drain-source voltage VDS (V)
−
10
−
8
−
6
−
4
−
2
0
0
I
D
– V
GS
Ta
= −
55°C
25
Common source
V
DS
= −
10 V
Pulse Test
100
−
2
−
4
−
6
−
8
−
10
Gate-source voltage VGS (V)
−
2.0
−
1.6
−
1.2
−
0.8
−
0.4
0
0
V
DS
– V
GS
Common source
Ta
=
25
℃
Pulse Test
ID
= −
5 A
−
2.5
−
1.3
−
4
−
8
−
12
−
16
−
20
Gate-source voltage VGS (V)
|Y
fs
| – I
D
10
Ta
= −
55°C
25
100
1
0.1
−
0.1
Common source
VDS
= −
10 V
Pulse Test
−
1
−
10
−
100
Drain current ID (A)
R
DS (ON)
– I
D
10
Common source
Ta
=
25°C
Pulse Test
1
VGS
= −
4 V
−
10
0.1
0.01
−
0.1
−
1
−
10
Drain current ID (A)
−
100
3
2009-09-29
Share Link:
datasheetq.com [
Privacy Policy
]
[
Request Datasheet
] [
Contact Us
]